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通过外延铝将NbTi的超导邻近效应传递到半导体异质结构中

介观与纳米尺度物理 2017-02-14 v1 超导电性

摘要

我们展示了如何通过一层薄的外延铝中间层,将NbTi——一种大能隙、高临界场的超导体——的超导特性传递到InAs异质结构中。我们使用两种器件几何结构,即约瑟夫森结和栅极定义的量子点接触,来表征界面透明度和两步邻近效应。在约瑟夫森结中,多重安德列夫反射揭示了接近完全的透明度,感应能隙为Δ=0.50 meV\Delta^*=0.50~\mathrm{meV},临界温度为7.8 K7.8~\mathrm{K}。隧道谱测量显示,在与超导体相邻的InAs中产生了Δ=0.43 meV\Delta^*=0.43~\mathrm{meV}的硬感应能隙,并具有同时体现Al和NbTi特征的子结构。

关键词

引用

@article{arxiv.1611.10166,
  title  = {Proximity Effect Transfer from NbTi into a Semiconductor Heterostructure via Epitaxial Aluminum},
  author = {A. C. C. Drachmann and H. J. Suominen and M. Kjaergaard and B. Shojaei and C. J. Palmstrøm and C. M. Marcus and F. Nichele},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1611.10166},
  year   = {2017}
}