通过在 InAs 异质结构上外延 Al 的阳极氧化制备约瑟夫森结

我们结合电子束光刻与外延铝的掩模阳极氧化，通过选择性氧化来定义隧穿结，从而免去了湿法刻蚀工艺或直接沉积介电材料的需求。将该技术应用于邻近诱导超导 Al-InAs 异质结构中定义约瑟夫森结，我们在输运实验中观察到了多重安德烈夫反射，表明该结具有高质量。我们进一步比较了通过湿法刻蚀和阳极氧化定义的霍尔条的迁移率与密度。这些结果可能有助于为基于结的量子比特平台发掘新的制备途径。