外延 Al-InAs 异质结构中的超导邻近效应
介观与纳米尺度物理
2019-03-27 v4
摘要
基于半导体的约瑟夫森结提供了一个研究邻近效应的平台，这得益于通过栅压调节结性质以及大规模制备复杂约瑟夫森电路的可能性。近来，采用具有外延铝接触的 InAs 弱连接的约瑟夫森结在提高正常电阻与临界电流乘积 的同时，也改善了制备工艺的可靠性。在此我们研究具有外延接触的类似器件，并在我们的结中发现大的超电流和可观的 乘积。然而，当我们在过剩电流与正常电阻乘积 方面将这些样品与更高迁移率的样品比较时，发现了显著差异。在低迁移率器件中过剩电流可忽略不计，而在高迁移率样品中它可观且独立于栅压和结长度。这表明，尽管两类样品均具有外延接触，但只有高迁移率样品拥有高透明界面。在高迁移率短结中，我们观察到半导体弱连接中 和 的数值。
引用
@article{arxiv.1810.02514,
title = {Superconducting proximity effect in epitaxial Al-InAs heterostructures},
author = {William Mayer and Joseph Yuan and Kaushini Wickramasinghe and Tri Nguyen and Matthieu C. Dartiailh and Javad Shabani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.02514},
year = {2019}
}