具有原位Al接触的InAsSb表面量子阱中的超导邻近效应

我们展示了在通过外延Al接触生长的InAs$_{0.5}$Sb$_{0.5}$量子阱中稳健的超导邻近效应，这对介观与拓扑超导具有重要意义。与更常被研究的InAs和InSb半导体不同，体InAs$_{0.5}$Sb$_{0.5}$支持更强的自旋轨道耦合与更大的$g$因子。然而，这些潜在理想性质此前尚未在带有超导体的外延异质结构中测得，而此类结构可作为容错拓扑量子计算的平台。通过结构与输运表征，我们观察到高质量界面与强自旋轨道耦合。我们基于InAs$_{0.5}$Sb$_{0.5}$量子阱制备约瑟夫森结，并观察到强邻近效应。这些结在接触间距500~nm下展现正常电阻与临界电流之积$I_{c}R_{N} = \SI{270}{\micro V}$，以及过剩电流$I_{ex}R_{N} = \SI{200}{\micro V}$。这两个量均表明在具有高透明接触下存在稳健且长程的邻近效应。