GaAs 衬底上的近表面 InAs 二维电子气:表征与超导邻近效应
介观与纳米尺度物理
2023-03-20 v2
摘要
我们研究了基于 GaAs 衬底上 InAs 量子阱的近表面二维电子气。在无介电层器件中,我们估算出量级为 cm/Vs 的大电子迁移率。我们在量子点接触中观察到量子化电导,并确定了 g 因子。在使用具有外延 Al 层的样品中,我们定义了多个约瑟夫森结,并发现临界电流可由栅极调控。基于多次 Andreev 反射,半导体-超导体界面是透明的,诱导能隙为 125 eV。我们的结果证明了该平台用于混合拓扑超导体器件的可行性。
引用
@article{arxiv.2206.10984,
title = {Near-surface InAs 2DEG on a GaAs substrate: characterization and superconducting proximity effect},
author = {Máté Sütő and Tamás Prok and Péter Makk and Magdhi Kirti and Giorgio Biasiol and Szabolcs Csonka and Endre Tóvári},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.10984},
year = {2023}
}