生长在晶格失配 InP 衬底上的 InAs 量子阱中的洁净量子点接触

强自旋轨道耦合、由此产生的大 $g$ 因子以及小有效质量使 InAs 成为诱导拓扑超导性的极具吸引力的材料平台。导带中的表面费米能级钉扎使得无需过度掺杂即可实现高透明欧姆接触。我们研究了深阱 InAs 二维电子气中静电定义的量子点接触（QPCs）。尽管 InAs 量子阱与 InP 衬底之间存在 3.3% 的晶格失配，我们报道了在零磁场下具有多达八个明显量化电导平台的洁净 QPCs。源-漏直流偏置谱揭示了具有近 $5$ meV 子带间距的谐波约束势。我们发现面外 $g$ 因子的多体交换相互作用增强为 $|g_{\perp}^*| = 27 \pm 1$，而面内 $g$ 因子各向同性 $|g^*_{x}| = |g^*_{y}| = 12 \pm 2$，接近 InAs 的体值。