非对称偏压 InAs/InAlAs 量子点接触中的反常电导平台
介观与纳米尺度物理
2011-07-14 v1
摘要
在存在横向自旋轨道耦合的情况下，我们研究了 In0.52Al0.48As/InAs 量子点接触 (QPC) 中，在 T=4.2K 时，一个位于 0.4（以 2e2/h 为单位）的反常电导平台的出现和演化，该演化是 QPC 面内栅极之间势不对称性的函数。这个反常平台是通道中自旋极化的标志，仅出现在中间范围（约 3 V）的偏压不对称性下。它相当稳健，在两个面内栅极共有的扫描电压的最大近 1V 范围内都能被观测到。我们的电导测量显示了来自 QPC 侧壁的表面粗糙度散射的证据。我们表明，强垂直磁场会导致通道中的磁约束，从而降低侧壁散射的重要性，并有利于 QPC 中近弹道输运的开始。
引用
@article{arxiv.1107.2540,
title = {Anamolous conductance plateau in an asymmetrically biased InAs/InAlAs quantum point contact},
author = {P. P. Das and K. B. Chetry and N. Bhandari and J. Wan and M. Cahay and R. S. Newrock and S. T. Herbert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.2540},
year = {2011}
}
备注
12 pages, 3 figures