高迁移率 InAs 量子点接触中的非磁分数量子电导
介观与纳米尺度物理
2025-03-12 v1 量子物理
摘要
在这封信中，我们报告了在 InP 衬底上生长的高迁移率 InAs 量子点接触的磁电子特性。一维电导达到最大值 17 个平台，以 2e^2/h 为单位量子化，其中 e 为基本电荷单位，h 为普朗克常数。子带 N = 1 的面内有效 g 因子估计为 -10.9 +/- 1.5，子带 N = 2 为 -10.8 +/- 1.6。此外，对 0.2(e^2/h) 和 0.1(e^2/h) 处的非磁分数量子电导态进行了研究。虽然其起源仍在讨论中，但证据表明它们源于一维区域内两个不同通道中电子之间的强电子-电子相互作用和动量守恒背散射。这一现象也可以被解释为动量守恒背散射所促进的两个通道方向之间的纠缠。
引用
@article{arxiv.2503.08476,
title = {Non-magnetic Fractional Conductance in High Mobility InAs Quantum Point Contacts},
author = {I. Villar Rodriguez and Y. Gul and C. P. Dempsey and J. T. Dong and S. N. Holmes and C. J. Palmstrom and M. Pepper},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.08476},
year = {2025}
}
备注
7 pages, 8 figures