准一维导体中的正磁阻
无序系统与神经网络
2009-10-30 v1
摘要
我们在此提出一个简单的定性模型，它插值描述了准一维导体在高温和低温下的性质。我们认为，在高温下输运由非弹性散射主导，而在低温下电导随电子退相干长度呈指数衰减。这两种机制之间的交叉发生在弹性散射时间与非弹性散射时间相等的温度处。该模型与有机导体 的实验结果定量吻合。在此模型框架内，我们还表明，在绝缘侧， 及其他准一维导体中观察到的 形式的正磁阻，可以用自旋翻转散射在电子退相干速率中所起的作用来解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9707169,
title = {Positive Magneto-Resistance in Quasi-1D Conductors},
author = {Ivar Martin and Philip Phillips},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9707169},
year = {2009}
}
备注
4 pages, Latex, no figures