准一维导体中电子的强局域化
无序系统与神经网络
2009-10-31 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了由 Si 掺杂 GaAs 制成的亚微米宽“线”中电子输运的实验研究。这些准一维 (Q1D) 导体随着温度的降低表现出从弱局域化到强局域化的交叉。在交叉的绝缘侧，我们测量了电阻作为温度、磁场和施加电压的函数，对应不同的电子浓度，这些浓度通过施加栅极电压来改变。观察到电阻的激活温度依赖性，其激活能接近局域域内电子态的平均能级间距。对电流-电压特性非线性的研究提供了关于控制 Q1D 导体在强局域化 (SL) regime 中电阻的关键跳跃之间距离的信息。我们观察到指数级强的负磁阻；这种轨道磁阻是由于 Q1D 导体中局域化长度的普适磁场依赖性。我们提出了在 SL regime 中测量单粒子态密度 (DoS) 的方法。我们的数据表明，由于长程库仑相互作用，费米能级处存在 DoS 的最小值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9805243,
title = {Strong localization of electrons in quasi-one-dimensional conductors},
author = {Yu. B. Khavin and M. E. Gershenson and A. L. Bogdanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9805243},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 11 figures; the final version to appear in Phys. Rev. B