高度可调硅量子点中单电子态的观测
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v3
摘要
我们报告了对硅金属-氧化物-半导体量子点的低温电子输运测量，该量子点具有独立栅极控制引线和量子点岛中的电子密度。这种架构允许在不影响引线中电子密度的情况下探测量子点能级，反之亦然。适当的栅极偏置使量子点占据数减少到单电子水平，这一点由前两个电荷跃迁基态的磁光谱测量所证实。电子库的独立栅极控制还能够区分量子点的激发态和引线中的态密度调制。
引用
@article{arxiv.0910.0576,
title = {Observation of the single-electron regime in a highly tunable silicon quantum dot},
author = {W. H. Lim and F. A. Zwanenburg and H. Huebl and M. Mottonen and K. W. Chan and A. Morello and A. S. Dzurak},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.0576},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures, accepted for Applied Physics Letters