Si:P 双量子点的偏置谱学与同步 SET 电荷态探测
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们报告了一项关于通过磷离子注入制备的硅双量子点系统在低温（mK）下的输运特性的详细研究。所研究的器件由两个掺杂浓度高于金属 - 绝缘体转变阈值的磷纳米岛组成，它们彼此之间以及与源漏储库之间由名义上未掺杂（本征）的硅隧穿势垒隔开。金属控制栅与一个 Al-AlOx 单电子晶体管（SET）位于衬底表面，并与埋藏量子点电容耦合。我们结合源漏偏置谱学与非侵入式 SET 电荷传感技术，探测了独立的双量子点电荷态。系统在线性（VSD = 0）和非线性（VSD <> 0）区域进行了测量，从而得以计算相关电容。演示了同时利用 SET 传感和源漏电流测量进行探测，为系统分析提供了一种有价值的组合方法。利用电荷和电流传感均观测到了三重随外加偏压的演化。通过同步探测测量了展示两个量子点库仑充电效应相互作用的库仑钻石图，并与数值模拟进行了比较。
引用
@article{arxiv.0802.0375,
title = {Bias spectroscopy and simultaneous SET charge state detection of Si:P double dots},
author = {M. Mitic and K. D. Petersson and M. C. Cassidy and R. P. Starrett and E. Gauja and A. J. Ferguson and C. Yang and D. N. Jamieson and R. G. Clark and A. S. Dzurak},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.0375},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 6 figures