硅量子点中的精细与大型库仑钻石
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
我们实验研究了由高掺杂n型绝缘体上硅晶圆制备的硅量子点(QDs)的输运性质。使用低温互补金属氧化物半导体(LTCMOS)放大器在液氦中于4.2 K进行低噪声电学测量。观察到两个系列的库仑峰：长周期振荡和精细结构，两者均显示出清晰的源漏电压依赖性。我们还观察到两个具有不同周期性的库仑钻石系列。获得的实验结果通过使用并联双量子点模型的主方程分析得到了很好的再现。
引用
@article{arxiv.0905.1173,
title = {Fine and Large Coulomb Diamonds in a Silicon Quantum Dot},
author = {T. Kodera and T. Ferrus and T. Nakaoka and G. Podd and M. Tanner and D. Williams and Y. Arakawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.1173},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures, to appear in Jpn. J. Appl. Phys