少电子硅/硅锗量子点中的库仑阻塞与近藤效应
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们报道了在硅/硅锗异质结构中制备的少电子顶栅量子点在低温下的输运测量。栅极电压的变化诱导了从孤立量子点向与电极强耦合量子点的转变。除了库仑阻塞外，当量子点与电极强耦合时，我们观察到由于近藤效应而出现的零偏压电导峰。近藤峰在磁场中分裂，且分裂幅度随外加磁场线性变化。我们还观察到从纯库仑阻塞到具有法诺线形峰的转变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612413,
title = {Coulomb blockade and Kondo effect in a few-electron silicon/silicon-germanium quantum dot},
author = {Levente J. Klein and Donald E. Savage and Mark A. Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612413},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 3 figures, to appear in Appl. Phys. Lett