超小 Si 量子点电子输运中的非 Kondo 零偏压反常
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了通过超小 Si 量子点的低温单电子输运。发现低温下库仑阻塞在某些栅压处被部分解除。此外，我们观察到零偏压下微分电导的增强。该零偏压反常的磁场依赖与 GaAs 量子点中报道的结果非常不同，且与 Kondo 效应的预言不一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9908135,
title = {Non-Kondo zero bias anomaly in electronic transport through an ultra-small Si quantum dot},
author = {L. P. Rokhinson and L. J. Guo and S. Y. Chou and D. C. Tsui},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9908135},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figure