基于物理定义的 p 沟道硅量子点的 4.2 K 灵敏度可调射频反射测量
介观与纳米尺度物理
2021-11-10 v4 量子物理
摘要
我们展示了利用由两个独立可调的 GaAs 变容二极管组成的射频(rf)反射测量电路，在液氦温度下对绝缘体上硅 p 沟道量子点进行测量。该装置可在 4.2\,K 近最佳匹配条件和最优信噪比下观测到库仑钻石。我们还讨论了 MOS 纳米结构中大顶栅存在所引起的射频泄漏及其对射频反射测量效率的影响。这些结果为多栅极架构(包括多量子比特平台)中的快速灵敏读出开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2105.04832,
title = {4.2 K Sensitivity-Tunable Radio Frequency Reflectometry of a Physically Defined P-channel Silicon Quantum Dot},
author = {Sinan Bugu and Shimpei Nishiyama and Kimihiko Kato and Yongxun Liu and Shigenori Murakami and Takahiro Mori and Thierry Ferrus and Tetsuo Kodera},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.04832},
year = {2021}
}