非金属硅隔离双量子点中电荷运动的探测
介观与纳米尺度物理
2011-10-17 v4 其他凝聚态物理
摘要
随着半导体器件尺寸缩小至纳米尺度，高缺陷密度表面对输运性质的影响变得重要，以至于在大尺寸、高掺杂结构中占主导的金属特性消失，且利用量子点进行电荷传感变得复杂。本文研究了电隔离双量子点内部电子运动的探测机制，该双量子点与一个单电子晶体管电容耦合，两者均由高磷掺杂硅晶圆制备。尽管探测器与双量子点结构之间不存在直接电荷转移，但仍实现了高效探测。特别地，观察到了栅极电压上异常大的库仑峰偏移。这些结果通过电荷重排以及经由单电子晶体管量子点边缘态的非弹性共隧穿来解释。
引用
@article{arxiv.0907.2635,
title = {Detection of charge motion in a non-metallic silicon isolated double quantum dot},
author = {T. Ferrus and A. Rossi and M. Tanner and G. Podd and P. Chapman and D. A. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.2635},
year = {2011}
}