硅单电子/空穴晶体管中的双点电荷输运
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
我们研究了通过制作于硅垫片绝缘基片上、极小尺寸的硅量子点晶体管的输运。 在高温(4K<T<100K)下, 该器件表现为通过 lithographically 定义的量子点进行的单电子或单空穴输运。 在T<4K时, 器件的电流表现为多点输运。 通过分析具有双点特性样品的输运, 我们得出结论: 额外的量子点形成于围绕 lithographically 定义量子点的热蒸发门控氧化层内部。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0002080,
title = {Double-dot charge transport in Si single electron/hole transistors},
author = {L. P. Rokhinson and L. J. Guo and S. Y. Chou and D. C. Tsui},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0002080},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures, to appear in Appl. Phys. Lett