具有可调耦合的增强型硅金属氧化物半导体横向双量子点
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1
摘要
我们展示了具有横向几何结构的可调谐硅金属氧化物半导体双量子点器件的输运测量结果。实验提取的栅极-量子点电容表明，该器件在所施加的栅极电压下很大程度上是对称的。有趣的是，这些栅极电压本身并不对称。与数值模拟的比较表明，所施加的栅极电压用于补偿物理器件中固有的不对称性。我们还展示了从单个大点到两个隔离良好的耦合点的转变，其中器件的中央栅极用于可控地调节点间耦合。
引用
@article{arxiv.1011.0034,
title = {Double quantum dot with tunable coupling in an enhancement-mode silicon metal-oxide semiconductor device with lateral geometry},
author = {L. A. Tracy and E. P. Nordberg and R. W. Young and C. Borras Pinilla and H. L. Stalford and G. A. Ten Eyck and K. Eng and K. D. Childs and J. Stevens and M. P. Lilly and M. A. Eriksson and M. S. Carroll},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.0034},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures, to be published in Applied Physics Letters