单电子双量子点中隧穿分裂的直接控制
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们采用准静态输运测量方法，对一个横向定义的隧穿耦合双量子点进行了研究。附近的量子点接触使我们能够追踪添加到器件中的电荷。当仅充入最多一个电子时，双量子点的低能谱由其量子力学点间隧穿分裂表征。我们利用有限源漏偏压下稳定性图中的特定反交叉特征，直接测量了其大小。通过修改定义约束势的栅极电压以及改变垂直磁场，我们展示了相干隧穿耦合的可调性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501012,
title = {Direct control of the tunnel splitting in a one-electron double quantum dot},
author = {A. K. Huettel and S. Ludwig and K. Eberl and J. P. Kotthaus},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501012},
year = {2007}
}
备注
High resolution pdf file available at http://www2.nano.physik.uni-muenchen.de/~huettel/research/anticrossing.pdf