半导体双量子点隧穿动力学的宽带电容测量
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v2
摘要
我们提出并演示了在半导体双量子点(DQD)上进行宽带电容测量以研究隧穿动力学。通过将相位可调的高频信号独立施加到DQD和附近的量子点接触电荷探测器，我们在从赫兹到几十吉赫兹的宽频率范围内实现了与单电子运动相关的电容的片上锁相检测。分析信号的相位和频率依赖性使我们能够提取特征隧穿速率。我们表明，通过将该技术应用于量子点间隧穿耦合区域，可以测量反映量子力学耦合强度的量子电容。
引用
@article{arxiv.0910.2512,
title = {Wide-band capacitance measurement on a semiconductor double quantum dot for studying tunneling dynamics},
author = {Takeshi Ota and Toshiaki Hayashi and Koji Muraki and Toshimasa Fujisawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.2512},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 3 figures