混合双量子点中谷本征态的共振隧穿谱
介观与纳米尺度物理
2016-05-04 v1
摘要
我们报道了通过由施主和量子点构成的硅混合双量子点的电子输运测量。输运谱显示了涉及不同谷态的共振隧穿峰，这说明了Si/SiO2界面上量子点中的谷分裂。双量子点输运的详细栅压依赖性使得首次直接观测到量子点中的谷分裂，其在160-240 ueV间可控，电场依赖为1.2 ± 0.2 meV/(MV/m)。大的谷分裂是在硅量子点中实现物理电子自旋量子比特的基本要求。
引用
@article{arxiv.1604.04020,
title = {Resonant tunneling spectroscopy of valley eigenstates on a hybrid double quantum dot},
author = {T. Kobayashi and J. van der Heijden and M. G. House and S. J. Hile and Pablo Asshoff and M. F. Gonzalez-Zalba and M. Vinet and M. Y. Simmons and S. Rogge},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.04020},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 3 figures