腔耦合硅量子点中谷劈裂的色散读出
介观与纳米尺度物理
2016-11-15 v1
摘要
体硅的能带结构具有六重谷简并性。Si/SiGe量子阱系统中的应变部分解除了谷简并性，但决定两个最低能谷劈裂的材料因素仍处于深入研究之中。我们提出了一种精确测定嵌入超导微波谐振腔的Si/SiGe双量子点中谷劈裂的方法。我们表明，双量子点能级谱中的低能谷态在腔传输中产生易于观测的特征。这些特征生成了半导体双量子点微观能级结构的“指纹”，提供了关于谷劈裂和谷间耦合率的有用信息。
引用
@article{arxiv.1607.08801,
title = {Dispersive readout of valley splittings in cavity-coupled silicon quantum dots},
author = {Guido Burkard and J. R. Petta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.08801},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 4 figures