依赖于硅量子点尺寸与位置的谷分裂
介观与纳米尺度物理
2024-05-07 v1 材料科学
量子物理
摘要
硅量子点的谷分裂（VS）对硅自旋量子比特的性能和可扩展性起着重要作用。本工作中，我们研究了SiGe/Si/SiGe异质结构中作为硅量子点尺寸与位置函数的VS。我们采用有效质量方法描述一个真实系统，该方法考虑了Si/SiGe界面处的浓度涨落以及界面粗糙度。我们预测量子点的尺寸是增强VS的重要参数，并且它还能诱导从无序主导到确定性增强机制的转变。通过分析沿特定方向移动量子点时VS的变化，我们得到量子点的尺寸可用于降低VS的变异性，这与电荷/自旋穿梭相关。
引用
@article{arxiv.2310.17393,
title = {Valley splitting depending on the size and location of a silicon quantum dot},
author = {Jonas R. F. Lima and Guido Burkard},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.17393},
year = {2024}
}