Si 量子点谷分裂中的界面与电磁效应
介观与纳米尺度物理
2024-05-07 v1 材料科学
量子物理
摘要
硅自旋量子比特的性能与可扩展性直接取决于导带谷分裂的大小。在本工作中，我们研究了电磁场与界面宽度对 Si/SiGe 异质结构中量子点谷分裂的影响。我们提出了一种基于有效质量理论的三维新理论模型，用于计算此类异质结构中的谷分裂，该模型考虑了界面处的浓度涨落与横向限制。借助此模型，我们预测电场是谷分裂工程中的一个重要参数，因为它可使某些界面宽度下的概率分布偏离较小的谷分裂。我们还得到了异质结构中界面的临界软化程度，高于该临界值时，自旋量子比特的最佳选择是考虑尽可能宽的界面。
引用
@article{arxiv.2303.13661,
title = {Interface and electromagnetic effects in the valley splitting of Si quantum dots},
author = {Jonas R. F. Lima and Guido Burkard},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.13661},
year = {2024}
}