SiGe/Si异质结构中的自旋和谷-轨道分裂
介观与纳米尺度物理
2008-10-07 v1 无序系统与神经网络
摘要
利用紧束缚方法计算了SiGe/Si/SiGe量子阱中的自旋和谷-轨道分裂。根据对称性考虑，从微观上证明了在具有奇数个Si原子平面的完美量子阱中电子态存在自旋分裂。自旋分裂随量子阱宽度振荡，这些振荡与电子波在界面处的谷间反射有关。研究表明，所研究的分裂可以通过考虑自旋和谷依赖的界面混合的扩展包络函数方法有效描述。所得结果为实验观测到的SiGe/Si/SiGe量子阱中的电子自旋弛豫时间提供了理论基础。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601520,
title = {Spin and valley-orbit splittings in SiGe/Si heterostructures},
author = {M. O. Nestoklon and L. E. Golub and E. L. Ivchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601520},
year = {2008}
}
备注
10 pages, 5 figures