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Si/SiGe量子阱中谷分裂的阱宽依赖性

介观与纳米尺度物理 2015-05-14 v2 材料科学

作者: Kohei Sasaki , Ryuichi Masutomi , Kiyohiko Toyama , Kentarou Sawano , Yasuhiro Shiraki , Tohru Okamoto

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摘要

使用不同阱宽的Si/SiGe单量子阱研究了硅二维电子系统中的谷分裂。从朗道能级填充因子ν=1处纵向电阻率的温度依赖性获得的4纳米和5.3纳米量子阱的能隙，远大于10纳米和20纳米量子阱的能隙。这与从Shubnikov-de Haas振荡中与塞曼分裂比较估算出的裸谷分裂的阱宽依赖性一致。

关键词

谷分裂 Si/SiGe量子阱阱宽依赖性朗道能级填充因子 Shubnikov-de Haas振荡塞曼分裂

引用

@article{arxiv.0911.1847,
  title  = {Well-width dependence of valley splitting in Si/SiGe quantum wells},
  author = {Kohei Sasaki and Ryuichi Masutomi and Kiyohiko Toyama and Kentarou Sawano and Yasuhiro Shiraki and Tohru Okamoto},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0911.1847},
  year   = {2015}
}

备注

3 pages, 2 figures