量子霍尔边缘条对硅量子阱中谷分裂的影响
介观与纳米尺度物理
2020-11-04 v2 量子物理
摘要
我们确定了限制于低无序Si量子阱中的二维电子的导带谷能量分裂。通过在大量填充因子范围内的量子霍尔区进行激活能测量，探究谷分裂对垂直磁场和霍尔密度的依赖关系。谷分裂能级的迁移率隙随线性增加，且惊人地独立于霍尔密度。数据与如下输运模型一致：谷分裂依赖于跨越量子霍尔边缘条的密度增量变化，而非体密度。基于这些结果，我们估计谷分裂随密度以116 eV/10cm的速率增加，这与近完美量子阱顶界面的理论预测一致。
引用
@article{arxiv.2006.02305,
title = {Effect of quantum Hall edge strips on valley splitting in silicon quantum wells},
author = {Brian Paquelet Wuetz and Merritt P. Losert and Alberto Tosato and Mario Lodari and Peter L. Bavdaz and Lucas Stehouwer and Payam Amin and James S. Clarke and Susan N. Coppersmith and Amir Sammak and Menno Veldhorst and Mark Friesen and Giordano Scappucci},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.02305},
year = {2020}
}