硅中二维电子Inter-Valley间隙异常观测
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们在这里报告了对高品质硅二维电子体中在倾斜磁场下，对奇数整数量子霍尔态和5能隙的系统性研究。在 coincide 区域之外，价值分裂随平行磁场而独立。然而，的价值间隙在 coincide 两侧分别为约0.4K和1.2K，相差约3倍。更令人惊讶的是，当接近 coincide 角度时，和5的能隙并未趋于零，而是快速上升。我们认为，这种异常与近似退化的洛伦兹能级之间的强耦合有关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510599,
title = {Observation of Inter-Valley Gap Anomaly of Two Dimensional electrons in Silicon},
author = {K. Lai and W. Pan and D. C. Tsui and S. Lyon and M. Mühlberger and F. Schäffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510599},
year = {2007}
}
备注
4 REVTEX pages, 4 figures