朗道能级交叉处持续能隙对相对自旋的依赖性
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 强关联电子
摘要
我们报告了在AlAs量子阱中来自不同导带谷的朗道能级之间的回避交叉处量子霍尔态能隙的测量结果。这些能隙在广泛的磁场范围和填充因子范围内表现出对磁场的近似线性依赖。更值得注意的是，我们观察到能隙大小对交叉能级相对自旋取向的意外依赖，平行自旋交叉表现出比反平行自旋交叉更大的能隙。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606072,
title = {Dependence of persistent gaps at Landau level crossings on relative spin},
author = {K. Vakili and T. Gokmen and O. Gunawan and Y. P. Shkolnikov and E. P. De Poortere and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606072},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, submitted for publication