倾斜磁场下 Si/SiGe异质结构的谷分裂

我们在高品质 Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ 异质结构中研究了二维电子在倾斜磁场下的谷分裂。对于我们研究中的所有样品，在填充因子 $\nu=3$（即 $\Delta_3$）处的值在.coincidence 角度之前和之后显著不同。在该角度处，能级在费米能级处交叉。在交叉点两侧，$\Delta_3$ 对电子密度的线性依赖性均被观察到，但这两种配置的斜率相差超过两倍。我们认为来自低能级占据层的库仑相互作用的筛选（这也解释了观察到的自旋相关电阻），是导致 $\Delta_3$ 在.coincidence 点前后差异大的原因。