谷效应在超高迁移率 SiGe/Si/SiGe 二维电子系统分数量子态中的表现
介观与纳米尺度物理
2021-05-05 v3 强关联电子
摘要
我们在一个超洁净强相互作用双谷 SiGe/Si/SiGe 二维电子系统中，观测到复合费米子量子霍尔效应在量子数 、2、3、4 和 6 处的纵向电阻极小值。在 处的极小值在低于某一电子密度时消失，而周围的 与 极小值在显著更低的密度下依然存在。此外，填充因子 处电阻极小值的起始被发现与磁场的倾斜角度无关。这些令人惊讶的结果表明具有不同谷指标的复合费米子能级的相交或合并，揭示了谷效应对分数量子态的影响。
引用
@article{arxiv.2101.05876,
title = {Valley effects on the fractions in an ultrahigh mobility SiGe/Si/SiGe two-dimensional electron system},
author = {V. T. Dolgopolov and M. Yu. Melnikov and A. A. Shashkin and S. -H. Huang and C. W. Liu and S. V. Kravchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.05876},
year = {2021}
}
备注
As published