强关联二维电子系统中的能带平坦化与朗道能级合并
强关联电子
2022-09-22 v3
摘要
我们回顾了近期表明强关联二维（2D）电子系统在化学势处发生能带平坦化和朗道能级合并的实验结果。在SiGe/Si/SiGe量子阱中的超洁净、强相互作用二维电子系统里，费米能级处的有效电子质量在整个电子密度范围内单调增加，而能量平均质量在低密度下趋于饱和。这两种质量定性上不同的行为揭示了该电子系统中相互作用诱导的单粒子谱在化学势处平坦化的前兆，在此情况下，费米子“凝聚”发生在费米能级处的一个动量范围内，这与玻色子的凝聚不同。在垂直于二维电子层的强磁场中，于Si反型层和GaAs双层二维电子系统中观察到了化学势处量子能级不同填充的类似效应——即化学势处自旋和谷分裂的朗道能级的合并。在超洁净SiGe/Si/SiGe量子阱中，也报道了具有不同谷指数的复合费米子量子能级合并的迹象。
引用
@article{arxiv.2204.12565,
title = {Band Flattening and Landau Level Merging in Strongly-Correlated Two-Dimensional Electron Systems},
author = {V. T. Dolgopolov and M. Yu. Melnikov and A. A. Shashkin and S. V. Kravchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.12565},
year = {2022}
}
备注
Minor typos corrected. As published