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源自 $\nu =1$ 量子霍尔边缘态的宽通道中的电子关联效应

介观与纳米尺度物理 2009-11-07 v1

摘要

利用本文提出的一种广义局域密度近似,我们以自洽方式研究了宽通道边缘处 ν=1\nu=1 量子霍尔区域内 Landau 能级 (LLs) 的空间行为。考虑了由边缘态引起的交换相互作用和强电子关联。与完全空置的最低自旋向下 LL 相比,这些相互作用和关联本质上改变了被占据的最低自旋向上 LL 的空间行为。这种空间行为上的差异可归因于自旋劈裂 LLs 具有不同的有效单电子横向限制势。在屏蔽 Hartree-Fock 近似下计算了空间非均匀自旋劈裂的多体效应。结果表明,在远离边缘处,最大激活能由 Fermi 能级与自旋向下 LL 底部之间的能隙主导,因为 Fermi 能级与自旋向上 LL 之间的能隙要大得多。换言之,通道体内最大激活能对应于体内自旋向下与自旋向上 LLs 之间能隙内 Fermi 能级的高度不对称位置。我们还研究了由电子关联导致的边缘态群速度的重整化。本理论的结果与高质量样品上的实验所建议和报道的结果一致。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0104105,
  title  = {Electron correlation effects in a wide channel from the $\nu =1$ quantum Hall edge states},
  author = {O. G. Balev and Nelson Studart},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0104105},
  year   = {2009}
}

备注

9 pages, 4 figures