双通量复合费米子的分数量子霍尔效应与维格纳晶体
介观与纳米尺度物理
2015-01-21 v1 强关联电子
摘要
在局限于 GaAs 量子阱的二维电子系统中，作为倾斜样品于磁场中或增加密度的函数，我们在填充因子 和 5/4 附近观察到了分数量子霍尔态 (FQHSs) 的多次跃迁。数据表明，这些是相互作用的双通量复合费米子的自旋极化跃迁，它们在这些填充因子处形成了自己的 FQHSs。事实上，在 FQHS 转变为完全自旋极化之后，总是会出现靠近 的重入整数量子霍尔效应，这强烈地将重入相与钉扎的双通量复合费米子\emph{铁磁}维格纳晶体联系起来。
引用
@article{arxiv.1407.7846,
title = {Fractional Quantum Hall Effect and Wigner Crystal of Two-Flux Composite Fermions},
author = {Yang Liu and D. Kamburov and S. Hasdemir and M. Shayegan and L. N. Pfeifer and K. W. West and K. W. Baldwin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.7846},
year = {2015}
}