最低朗道能级中的谷简并二维电子
介观与纳米尺度物理
2014-01-29 v2 强关联电子
摘要
我们报道了对 H 终止 Si(111) 表面上高迁移率 ( cm/V sec) 二维电子系统的低温磁输运测量。虽然低磁场数据表明这是一个六重谷简并系统，但我们在所有填充因子 处观察到了整数量子霍尔效应，并发现 在一个异常窄的温度范围内形成。围绕 出现了一个扩展的、仅含偶数分子的分数量子霍尔层级，这与二重谷简并复合费米子 (CFs) 一致。我们确定了激活能并估算了 CF 质量。
引用
@article{arxiv.1210.2386,
title = {Valley Degenerate 2D Electrons in the Lowest Landau Level},
author = {Tomasz M. Kott and Binhui Hu and S. H. Brown and B. E. Kane},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.2386},
year = {2014}
}