无序增强对量子霍尔效应的破坏
凝聚态物理
2009-10-28 v1
摘要
我们报告了在硅中极稀薄的二维电子系统中，对应于朗道能级填充因子的磁场下，无序诱导的量子霍尔态、金属态和绝缘态之间转变的实验研究。在低无序度下，处最低扩展态低于费米能量，因此系统处于量子霍尔态。我们的数据表明，随着无序度的增加（但电子密度和磁场保持不变），扩展态不会消失，而是向上浮动，使得系统变为绝缘态。当扩展态穿过费米能量时，电导率具有金属系统特征的温度依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9503140,
title = {DESTRUCTION OF THE QUANTUM HALL EFFECT WITH INCREASING DISORDER},
author = {J. E. Furneaux and S. V. Kravchenko and Whitney Mason and G. E. Bowker and V. M. Pudalov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9503140},
year = {2009}
}
备注
REVTeX file; 4 postscript figures on request; to appear in PRB