温度诱导的绝缘体、金属和量子霍尔态之间的转变
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
我们报道了在硅中极稀释的高迁移率二维电子系统中，输运系数在绝缘体、金属和量子霍尔行为之间温度诱导转变的观测结果。我们考虑了在存在边界、极低电子密度下的量子霍尔效应。我们的数据表明，随着温度降低，处的扩展态（在较高温度下位于费米能级以上，因此系统表现为绝缘体）沉入费米能级以下，从而发生量子霍尔效应。当扩展态穿过费米能级时，电导率具有金属系统特有的温度依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9406012,
title = {Temperature Induced Transitions between Insulator, Metal, and Quantum Hall States},
author = {S. V. Kravchenko and Whitney Mason and J. E. Furneaux and J. M. Caulfield and J. Singleton and V. M. Pudalov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9406012},
year = {2007}
}
备注
10 pages REVTeX v3.0; 4 POSTSCRIPT figures on request; OU-CO-94-0502