H-Si(111)表面六重简并二维电子系统中的温度依赖输运
介观与纳米尺度物理
2009-10-26 v2 强关联电子
摘要
在H钝化Si(111)表面的高迁移率（μ=110,000 cm²/Vs）二维（2D）电子系统上进行的低场磁输运测量揭示了六重谷简并性，谷分裂≤0.1 K。零场电阻率ρ_xx在0.07 < T < 25 K范围内表现出强烈的温度依赖性，正如对高简并度和高质量系统所预测的那样。我们提出了一种利用低场霍尔系数探测谷间动量转移（谷拖曳）的方法。弛豫率与费米液体理论一致，但T→0时残留的微小拖曳效应仍未得到解释。
引用
@article{arxiv.0903.1862,
title = {Temperature-dependent transport in a sixfold degenerate two-dimensional electron system on a H-Si(111) surface},
author = {Robert N. McFarland and Tomasz M. Kott and Luyan Sun and K. Eng and B. E. Kane},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.1862},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures; revised and slightly shortened for publication;