Si中二维电子体Hall电阻的非单调温度依赖性

我们测量了Si中二维电子体在1-35 K温度范围和密度下的弱场Hall电阻 $R_{xy}(T)$，其中对角电阻率表现出“金属”行为。发现 $R_{xy}(T)$ 依赖性非单调，在温度 $T_m \sim 0.16T_F$ 处达到最大值。在低温域($T<T_m$)中，$R_{xy}(T)$ 的变化与半经典模型一致后者仅考虑费米分布的展宽。在“高温”域($T>T_m$)中，$R_{xy}(T)$ 依赖可用半经典输运时间的$T$ 依赖性来解释，或可用局域带中载子的热激发来解释。