低密度二维空穴气体中非单调的温度依赖电阻
强关联电子
2012-08-27 v1
摘要
在具有高峰值空穴迁移率 1.7x10^6 cm^2/Vs 的无栅 GaAs/AlGaAs 量子阱中，对于低至 3.8x10^9 cm-2 的二维空穴密度 p，低温纵向方块电阻 Rxx(T) 表现为金属性。电阻的电子贡献 R_{el}(T) 是 T 的非单调函数，在 kT<<E_F 时表现出热激活行为，R_{el}(T) ~ exp{-E_a/kT}，而在 k_T>EF 时表现出迄今未被注意到的衰减 R_{el}(T) ~ 1/T。R_{el}(T) 的形式与密度无关，表明金属态中低温和高温散射机制之间存在基本关系。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9905176,
title = {Nonmonotonic Temperature-dependent Resistance in Low Density 2D Hole Gases},
author = {A. P. Mills, and A. P. Ramirez and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9905176},
year = {2012}
}