未掺杂 GaAs 异质结构中稀薄二维电子的电阻率
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1 强关联电子
摘要
我们报道了在稀薄高迁移率二维电子系统中从 0.03 K 到 10 K 的电阻率测量结果。采用栅控场效应晶体管结构中的未掺杂 GaAs/AlGaAs 异质结，我们探索了从 到 的宽广密度范围。在高密度下，结果被定量证明是由声学声子和杂质的散射引起的。在中等密度范围内，在 1 K 以下观察到电阻率峰值。通过考虑已知的声子、体相和界面电离杂质散射机制，可以理解这种非单调的电阻率。在更低的密度下，系统在所测量的最低温度下表现为绝缘行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210155,
title = {Resistivity of dilute 2D electrons in an undoped GaAs heterostructure},
author = {M. P. Lilly and J. L. Reno and J. A. Simmons and I. B. Spielman and J. P. Eisenstein and L. N. Pfeiffer and K. W. West and E. H. Hwang and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210155},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures