低密度高迁移率 AlGaN/GaN 场效应管中声子散射

我们报告了变密度 AlGaN/GaN 场效应管中二维电子气迁移率 $\mu$ 的温度依赖性，载流子密度范围为 $0.4\times10^{12}$ cm$^{-2}$ 至 $3.0\times10^{12}$ cm$^{-2}$，最高迁移率达到 80,000 cm$^{2}$/Vs。于 20 K 至 50 K 之间，我们观察到 $\mu_{ac}^{-1} = \alpha T$ 的线性关系，表明声子散射主导了迁移率的温度依赖性，其中 $\alpha$ 随 2D 电子密度减小而单调递增。该行为与退化电子气的散射预测相矛盾，但与考虑热广度及电子屏蔽温度依赖性的计算结果一致。我们的数据暗示形变势 $D$ 为 12-15 eV。