极高迁移率二维电子系统中声子诱导的电阻振荡
介观与纳米尺度物理
2009-02-26 v1
摘要
我们报告了极高迁移率二维电子系统中声学声子诱导的电阻振荡的温度依赖性。我们观察到温度依赖性是非单调的，并且高阶振荡在逐渐降低的温度下发展得最好。我们的分析表明，与舒布尼科夫-德哈斯效应相反，声子诱导的电阻振荡对改变单粒子寿命的电子-电子相互作用敏感。
引用
@article{arxiv.0902.4208,
title = {Phonon-induced Resistance Oscillations in Very-high Mobility 2D Electron Systems},
author = {A. T. Hatke and M. A. Zudov and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.4208},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures