GaN HEMT 的密度依赖电子输运与精确建模
材料科学
2015-10-28 v1
摘要
本文报告了 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管中二维面电荷密度对电子输运依赖性的直接测量。脉冲 IV 测量确立了电子速度随面电荷密度降低而增加的现象，导致在 cm 的低面电荷密度下，饱和速度达到 cm/s。本文还提出了一种基于光学声子发射的 GaN 电子速度模型。该模型考虑了受激 LO 声子发射，这种现象由于 GaN 中强烈的电子-声子相互作用和较长的 LO 声子寿命而限制了电子速度。与测得的密度依赖饱和速度的比较表明，该模型很好地捕捉了这种依赖关系。最后，将该实验结果应用于基于 TCAD 的器件模拟器中，以预测已报道 GaN HEMT 的直流和小信号特性。模拟结果与已报道实验结果之间的良好一致性验证了本报告中的测量，并确立了对 GaN HEMT 的精确建模。
引用
@article{arxiv.1508.07050,
title = {Density-Dependent Electron Transport and Precise Modeling of GaN HEMTs},
author = {Sanyam Bajaj and Omor F. Shoron and Pil Sung Park and Sriram Krishnamoorthy and Fatih Akyol and Ting-Hsiang Hung and Shahed Reza and Eduardo M. Chumbes and Jacob Khurgin and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.07050},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 7 figures