本征三维狄拉克半金属砷化镉中的漂移速度饱和与大电流密度

本文研究了本征三维狄拉克半金属砷化镉中电子在高电场下的输运，考虑了电子与声学和光学声子的散射。屏蔽效应和热声子效应被纳入考虑。得到了热电子迁移率 $\mu$ 和功率损耗 $P$ 作为电子温度 $T_e$ 函数的表达式。研究了漂移速度 $v_d$ 对电场 $E$ 和电子密度 $n_e$ 的依赖关系。发现热声子效应导致 $v_d$ 在相对较低的 $E$ 下开始饱和，并显著降低其大小。发现漂移速度饱和值约为 $v_{ds} \sim 10^7$ cm/s，且对 $n_e$ 有弱依赖性。预测了一个高达 $\sim 10^6$ A/cm$^2$ 的大饱和电流密度。