块体ZnO中的高场电子输运

在(Ga,Sb)掺杂的ZnO中测量了高达150 kV/cm电场下的电流-电压依赖关系。通过向两端样品施加相对较短（几纳秒）的电压脉冲来控制沟道温度。在估算样品接触电阻和霍尔电子迁移率后，推导出了给定电场下电子漂移速度对电子密度的依赖关系，电子密度范围从1.42$\times$10$^{17}$ cm$^{-3}$到1.3$\times$10$^{20}$ cm$^{-3}$。对于1.42$\times$10$^{17}$ cm$^{-3}$的电子密度，估计出现了高达$\sim$1.5$\times$10$^{7}$ cm/s的最高电子漂移速度，并且当热声子寿命低于1 ps时与蒙特卡洛模拟一致。在$\sim$1.1$\times$10$^{19}$ cm$^{-3}$处观察到局部漂移速度最大值，并且与超快热声子衰变一致。