高纯度Ge中低至低温下的电子输运性质
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1
摘要
本文使用粒子蒙特卡洛模拟，考虑了电离杂质和非弹性声子散射，研究了低至20 mK的各种温度下Ge中的电子输运。模拟解释了低温下电子输运的基本特征：欧姆区、漂移速度相对于电场方向的各向异性，以及沿<111>场取向的负微分迁移率现象。电子速度的实验数据以令人满意的精度被重现。给出了模拟期间电子在实空间中的位置示例，并证明了电子分离云的传播方向取决于其所属的能谷。
引用
@article{arxiv.1010.0961,
title = {Electron transport properties in high-purity Ge down to cryogenic temperatures},
author = {V. Aubry-Fortuna and P. Dollfus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.0961},
year = {2015}
}
备注
24 pages, 11 figures