Low-Temperature Electron Transport in [110] and [100] Silicon Nanowires: A DFT - Monte Carlo study
介观与纳米尺度物理
2025-01-03 v1 材料科学
计算物理
量子物理
摘要
本文考察了极低温度下轴向对齐的未受应变硅纳米线（SiNWs）中的电子输运。采用半经验10轨道紧束缚法、密度泛函理论（DFT）和Ensemble蒙特卡洛（EMC）方法。模型中包含声子和光子，涵盖内带和带间散射过程。与室温（300 K）特性比较显示，对于两种纳米线，在相对适中的电场和较低温度下，平均电子稳态漂移速度至少提升了2倍。此外，[110]纳米线的平均漂移速度比[100]纳米线高出50%，归因于其导带亚带有效质量的差异。瞬态平均电子速度表明，在低温下存在显著的电子流动，归因于电子-声子散射率的降低。
引用
@article{arxiv.2409.07282,
title = {Low-Temperature Electron Transport in [110] and [100] Silicon Nanowires: A DFT - Monte Carlo study},
author = {Daryoush Shiri and Reza Nekovei and Amit Verma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.07282},
year = {2025}
}
备注
12 pages, 5 figures