<100>硅中载流子漂移速度的精确测量
仪器与探测器
2015-12-09 v2 高能物理 - 实验
摘要
呈现了高纯n型和p型<100>晶向硅中电子和空穴漂移速度随电场和温度变化的测量。测量覆盖电场2.4至50 kV/cm，温度233至333 K。使用两种方法从电流瞬态测量中提取漂移速度：飞行时间（tof）法，以及将模拟瞬态拟合实测瞬态，其中描述电子和空穴迁移率场和温度依赖性的参数作为自由参数。新的迁移率参数化（比先前参数化更好地描述现有数据）将经典tof法扩展到非均匀场情形。对于拟合法，傅里叶变换的卷积定理使我们能够精确确定包括传感器特性在内的整套装置的电子学传递函数。tof法与拟合法的一致度约为1%，对应于最高电压下200 {\mu}m厚的pad二极管的时间飞行不确定度30 ps。将我们的结果与已发表的低场迁移率数据结合，我们推导了高阻<100>硅中电子和空穴在0至50 kV/cm电场和233至333 K温度下的漂移速度参数化。
引用
@article{arxiv.1509.04183,
title = {Precision measurement of the carrier drift velocities in <100> silicon},
author = {C. Scharf and R. Klanner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.04183},
year = {2015}
}
备注
IWoRID2015 Proceeding